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龙图腾网恭喜西湖大学申请的专利掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210373942.9，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法是由李西军;宋春燕设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法，掩模版包括：电解反应层，电解反应层包括电致变色材料；第一控制电路层，第一控制电路层设于电解反应层的第一侧上，且第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，第二控制电路层设于电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，控制电压通过控制电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制像素区域的透光状态。

本发明授权掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻工艺的掩模版，其特征在于，所述掩模版包括：电解反应层，所述电解反应层包括电解质层、第一电解材料层和第二电解材料层，其中，所述电解质层设于所述第一电解材料层和所述第二电解材料层之间，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的一者包括电致变色材料，且所述电解质层、所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的一者或两者包括呈阵列状排布的多个块，所述电解质层、所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的另外两者或一者呈连续薄膜状；第一控制电路层，所述第一控制电路层设于所述第一电解材料层的与所述电解质层相对的一侧上，其中，所述第一控制电路层包括多个第一控制电极，所述第一控制电极为沿第一方向延伸的第一条状电极，且所述多个第一控制电极彼此电隔离地排列在所述第一控制电路层中；以及第二控制电路层，所述第二控制电路层设于所述第二电解材料层的与所述电解质层相对的一侧上，其中，所述第二控制电路层包括多个第二控制电极，所述第二控制电极为沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第二条状电极，且所述多个第二控制电极彼此电隔离地排列在所述第二控制电路层中；其中，所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个块、至少一个第一控制电极的至少一部分和至少一个第二控制电极的至少一部分，所述掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由所述像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，所述控制电压通过控制所述电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制所述像素区域的透光状态。

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