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龙图腾网恭喜深圳市优联半导体有限公司;华中科技大学申请的专利适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210318914.7，技术领域涉及：H02H7/20；该发明授权适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用是由王智强;李佳炜;辛国庆;时晓洁设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于电路设计技术领域，公开了一种适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用，所述适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路包括典型去饱和保护电路拓扑，用以区分FUL故障的逻辑处理电路以及从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路；所述适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括：典型去饱和保护电路拓扑加上用以区分FUL故障的逻辑处理电路，再加入从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路，实现对HSF故障处理的加速。本发明在响应速度提高的同时不牺牲其抗干扰性，优化范围较为全面，在处理两类不同的短路故障时均得到改进，可实现快速而可靠的电路保护。

本发明授权适用于SiC MOSFET的去饱和保护改进电路、设计方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路，其特征在于，所述适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路包括：典型去饱和保护电路拓扑，用以区分FUL故障的逻辑处理电路，以及从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路；应用所述的适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路的适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法，所述适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括：典型去饱和保护电路拓扑加上用以区分FUL故障的逻辑处理电路，再加入从MOSFET漏极额外引出的消隐电容充电支路，实现对HSF故障处理的加速；所述适用于SiCMOSFET的去饱和保护改进电路的设计方法包括以下步骤：步骤一，进行典型去饱和保护电路的设计；步骤二，进行用以实现区分FUL故障的逻辑处理电路设计；步骤三，进行用以实现对HSF故障处理加速的额外充电支路设计；所述步骤一中的典型去饱和保护电路的设计包括：通过对两端电压Vds进行实时监测以判断故障是否发生；典型的去饱和保护电路由一个电压比较器，一条RC充电回路，一条放电支路以及一个高耐压二极管组成，所述去饱和保护电路结构根据MOSFET的三种不同工作状态而发挥相应作用；当MOSFET处于正常的导通状态时，两端电压Vds低，二极管将正向偏置导通；消隐电容Cblk上的电压Vblk是Vds和二极管导通压降VF之和经过电阻Rs2和Rs3分压处理后的一个值，低于电压比较器的反转阈值Vref，保护不会触发；当MOSFET处于关断状态时，两端电压Vds高，二极管反向偏置截止；此时放电支路开启，保证消隐电容上的电荷释放至0，使得在下一次开通时，电容电压Vblk从0开始正常上升，使保护功能不至于提前触发；当MOSFET处于导通状态，并且有短路故障发生时，两端电压Vds高，二极管反向偏置截止；由于此时放电支路不导通，Vblk将由Vdd充电，迅速增加直至超过Vref，比较器输出故障信号至驱动侧，触发短路保护，关断MOSFET；于电路仿真软件中搭建典型去饱和保护电路拓扑结构；其中，所述仿真软件包括可导入器件真实模型的PSpice和Saber；根据实际需要保护的MOSFET的电气特性以及整个系统的工作条件，对去饱和保护电路的各个器件进行参数设计；其中，所述工作条件包括电压和电流，所述参数包括电阻和电容的值、二极管的耐压能力以及电压比较器的参考电压；于仿真软件中进行仿真测试，初步验证所设计的去饱和保护电路的功能，包括保护逻辑判断是否正常以及保护动作时间是否满足需求；所述步骤二中的用以实现区分FUL故障的逻辑处理电路设计包括：根据短路发生的时刻，短路故障分为硬开关故障HSF和负载故障FUL两类；HSF指的是在器件开通时已经存在短路问题，包括桥臂直通故障；FUL指的是在器件已经开通完毕，正常运行一段时间后发生的短路故障；在典型去饱和保护电路拓扑基础上，通过添加逻辑器件，对放电支路中的开关Mdg进行控制，实现对FUL和HSF的分别判断和处理；在电路结构中，消隐电容Cblk的放电支路开关Mdg的控制信号Vdg将由两个检测部分共同决定；在HSF检测部分中，采取独立的RC计时，单独为HSF检测提供一段额外的消隐时间Tfix，不会同时影响FUL的检测时间；在选取外部去饱和电路消隐电容Cblk的数值时将不必再考虑HSF状况；对FUL的处理时间取决于器件的内部延迟Tdelay以及外部去饱和电路的消隐时间Tblk之和，如以下公式所示：TFUL＝Tblk+Tdelay。

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