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龙图腾网恭喜中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利一种肖特基/欧姆漏结构的HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210153548.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种肖特基/欧姆漏结构的HEMT器件及其制备方法是由王洪;高升;谢子敬设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基/欧姆漏结构的HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种肖特基欧姆漏结构的HEMT器件及其制备方法。所述肖特基欧姆漏结构的HEMT器件自下而上包括硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设置有栅电极、源电极和漏电极，栅电极位于源电极和漏电极之间。自下而上包括硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设置有栅电极、源电极和漏电极，栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明制备的源漏电极与帽层形成了双层接触界面，在退火后形成了肖特基欧姆漏结构，优化了漏极侧电场分布，提高了击穿电压及其分布稳定性。

本发明授权一种肖特基/欧姆漏结构的HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基欧姆漏结构的HEMT器件，其特征在于，自下而上包括硅衬底（101）、AlN成核层（102）、AlGaN缓冲层（103）、GaN沟道层（104）、AlN插入层（105）以及AlGaN势垒层（106）；AlGaN势垒层（106）上方设置有栅电极（110）、源电极和漏电极，栅电极（110）位于源电极和漏电极之间；所述源电极和漏电极均采用一步光刻、两步变角度电子束蒸发金属的方式获得；源电极和漏电极均包括第一步金属（108）和第二步金属（109），其中，第一步金属（108）采用斜角入射蒸发获得，第二步金属（109）采用垂直入射蒸发获得；第二步金属（109）与AlGaN势垒层（106）形成肖特基接触；源电极和漏电极中的第一步金属（108）与AlGaN势垒层（106）形成欧姆接触。

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