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龙图腾网恭喜晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池制作方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210101558.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池制作方法及太阳能电池是由闫循磊;高贝贝;王正幸;张星;刘长明;张昕宇设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池制作方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池制作方法进太阳能电池，包括：在硅衬底的正面制作硼扩散层，采用等离子增强原子层沉积工艺在所述硼扩散层上制作正面氧化铝层，所述等离子增强原子层沉积工艺的循环次数为n，所述n小于或者等于80，所述制作正面氧化铝层包括：在所述硼扩散层上制作第一氧化铝层，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于7500w小于10000w，循环次数小于或者等于35％n，在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层，其中，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于15000w。该太阳能电池制作方法提升了太阳能电池的质量，提高了太阳能电池的效率。

本发明授权太阳能电池制作方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的正面制作硼扩散层；采用等离子增强原子层沉积工艺在所述硼扩散层上制作正面氧化铝层，所述等离子增强原子层沉积工艺的循环次数为n，所述n小于或者等于80，所述制作正面氧化铝层包括：在所述硼扩散层上制作第一氧化铝层，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于7500w小于10000w，循环次数小于或者等于35％n；在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层，其中，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于15000w；在所述第一氧化铝层上制作所述第二氧化铝层之后还包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第二氧化铝层上沉积氮化硅层或者氮氧化硅层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源(海宁)有限公司，其通讯地址为：334100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。