恭喜隆基绿能科技股份有限公司邓浩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种硅片处理方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111680653.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种硅片处理方法和装置是由邓浩;韩伟设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片处理方法和装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种硅片处理方法和装置。所述硅片处理方法包括：对硅片进行抛光处理，以去除硅片表面的损伤层；提供反应气体，其中，所述反应气体至少包括氧气和含卤气体；在第一预设温度下，采用所述氧气和所述含卤气体与所述硅片的表面反应，在所述硅片的表面形成微绒面，并去除所述硅片的金属杂质。本申请实施例可以减少化学品和水资源的消耗，减小硅片微绒面制作过程对于环境的影响，避免对硅片及其微绒面造成损伤，还有利于形成覆盖率更高和纵横比更高的微结构，以增强所述微绒面的陷光效果，提升所述微绒面的质量。而且，还可以去除所述硅片表面的金属杂质，提高了所述硅片的纯度。
本发明授权一种硅片处理方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种硅片处理方法，其特征在于，所述硅片处理方法包括：对硅片进行抛光处理，以去除硅片表面的损伤层；提供反应气体，其中，所述反应气体至少包括氧气和含卤气体；在第一预设温度下，采用所述氧气与所述硅片的表面反应得到二氧化硅，并采用所述含卤气体与所述硅片表面的硅、二氧化硅以及金属杂质反应，利用所述含卤气体与所述硅和二氧化硅的反应速率差，在所述硅片的表面形成微米级的微绒面，并去除所述硅片表面的所述金属杂质；所述第一预设温度为700℃－1300℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人隆基绿能科技股份有限公司，其通讯地址为：710100 陕西省西安市长安区航天中路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号