恭喜长江存储科技有限责任公司谢炜获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111633046.3，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权三维存储器及其制备方法是由谢炜;王迪;周文犀设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成具有栅极层的台阶结构，并在所述台阶结构上形成台阶介质层，其中，所述台阶结构包括相互隔离的至少两个子台阶结构；形成分别贯穿所述台阶介质层并延伸至每个所述子台阶结构中的字线接触，其中，所述字线接触与所述栅极层连接；去除所述台阶介质层的一部分形成导电部，其中，所述导电部将每个所述子台阶结构中的字线接触连接；以及在所述台阶介质层的远离所述衬底的一侧形成第一接触，其中，所述第一接触与至多部分所述子台阶结构中的字线接触连接。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成具有栅极层的台阶结构，并在所述台阶结构上形成台阶介质层，其中，所述台阶结构包括相互隔离的至少两个子台阶结构；形成分别贯穿所述台阶介质层并延伸至每个所述子台阶结构中的字线接触，其中，所述字线接触与所述栅极层连接；去除所述台阶介质层的一部分形成导电部，其中，所述导电部将不同所述子台阶结构中位于相同级数的台阶上的字线接触连接；以及在所述台阶介质层的远离所述衬底的一侧形成第一接触，其中，所述第一接触与至多部分所述子台阶结构中的字线接触连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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