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龙图腾网恭喜北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114221297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111435849.8，技术领域涉及：H02H5/04；该发明授权一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路是由郭斌;张健;陈雷;李建成;宗宇;李全利;时飞;孙洪江;林彦君;王文博;郭晓设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路，本发明电路包括启动电路、温度监测电路和输出级电路，采用使能信号控制电路的开启与关闭。启动电路用于使电路摆脱简并偏置点，温度监测电路监控芯片的温度，温度监测电路的输出与输出级电路连接，输出级电路输出过温控制信号，当芯片温度上升到过温开启阈值点时，过温控制信号发生跳变，控制芯片不再工作，从而使得芯片降温，同时，本发明电路还具有热滞回功能，当芯片温度下降到过温关断阈值点时，芯片重新正常工作，此外，本发明在温度监测电路中设计了电压反馈结构，防止过温控制信号跳变时发生热振荡现象，同时为电路产生了热滞回区间。

本发明授权一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路在权利要求书中公布了：1.一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于，包括启动电路，温度监测电路和输出级电路；启动电路用于在上电时使过温保护电路摆脱简并偏置点；启动电路和温度监测电路接受使能信号，并在过温保护电路摆脱简并偏置点的状态下，根据使能信号控制过温保护电路的通断；温度监测电路用于监测芯片的温度变化，并将温度信号转化为电信号输出至输出级电路；输出级电路接收由温度监测电路输入的电信号，并将所述电信号进行整形为标准电平信号，产生用于控制芯片工作状态的过温控制信号；使能信号包括使能信号EN和使能信号使能信号为使能信号EN经非门产生的信号；启动电路100包括NMOS管N0～N2以及PMOS管P0；其中，N0～N2的源极和衬底均接地GND；N0的栅极接使能信号EN，N0～N1的漏极与N2的栅极连接后接输入偏置电流，PMOS管中P0的栅极接使能信号源极和漏极接电源VCC；温度监测电路101包括NMOS管N3～N11，PMOS管P1～P4，PNP三极管Q0～Q3和电阻R0～R4；其中，N3～N10的源极和衬底与N11的衬底均接地GND；N3～N5的栅极，N7～N9的栅极，N4的漏极与所述启动电路100中N1的栅极连接后形成电流镜结构；N4的栅极和漏极与N6的漏极连接，同时N4的栅极和漏极与Q2的集电极连接；N3的漏极、电阻R0的一端、Q1的集电极以及所述启动电路100中N2的漏极与P0的漏极连接；电阻R0的另一端与Q0的基极连接；N5的漏极与P3的栅极、P3的漏极、以及P2的栅极连接；N6和N10的栅极接使能信号EN；N7的漏极、N10的漏极以及Q3的集电极与所述输出级电路102的输入连接；N8的漏极和N11的漏极与电阻R4的一端连接；电阻R4的另一端与R3的一端、P4的漏极以及Q3的基极连接；N9的漏极与N11的源极连接；N11的栅极接过温控制信号en_temp；P1～P4的源极和衬底、Q1的发射极、Q3的发射极以及电阻R3的另一端均接电源VCC；P1的栅极和P4的栅极接使能信号P1的漏极和P2的漏极与Q0的发射极以及Q1、Q2的基极连接；R1的一端与Q0的集电极连接，另一端与地GND连接，Q2的发射极通过电阻R2与电源VCC连接。

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