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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利非易失性存储器版图及非易失性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111424329.7，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权非易失性存储器版图及非易失性存储器是由周海洋;沈思杰设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器版图及非易失性存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种非易失性存储器版图及非易失性存储器，所述非易失性存储器版图包括控制栅版图和字线版图，所述控制栅版图包括多个控制栅图形组，每个所述控制栅图形组包括两个控制栅图形。所述栅极图形包括呈直条形且沿第二方向延伸的栅极图形和从所述栅极图形的中间位置伸出的凸起图形，所述凸起图形在所述第一方向上凸出于所述栅极图形并与所述栅极图形连接为一体，每个所述控制栅图形组中的两个所述凸起图形相背设置。所述两个字线图形之间的间隔区域对准所述凸起图形，即字线图形之间的间隔区域靠近凸起图形的背部，如此可使得存储器中的字线结构与控制栅结构的凸起部相间隔，由此可避免控制栅结构的凸起部与字线之间发生短路。

本发明授权非易失性存储器版图及非易失性存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器版图，其特征在于，所述非易失性存储器版图包括：控制栅版图，包括沿着第一方向平行排布并沿着第二方向延伸的多个控制栅图形组，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述控制栅图形组包括两个呈镜像对称的控制栅图形，其中，所述控制栅图形包括呈直条形且沿所述第二方向延伸的栅极图形和从所述栅极图形的中间位置伸出的凸起图形，所述凸起图形在所述第一方向上凸出于所述栅极图形并与所述栅极图形连接为一体，每个所述控制栅图形组中的两个所述凸起图形相背设置；字线版图，包括沿着所述第一方向平行排布并沿着所述第二方向延伸的多个字线图形组，每个所述控制栅图形组中的所述两个控制栅图形之间设置有一个所述字线图形组，其中，每个所述字线图形组包括沿着所述第二方向间隔设置的两个呈直条形的字线图形，所述两个字线图形之间的间隔区域对准每个所述控制栅图形组中的所述两个凸起图形。

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