恭喜杭州盾源聚芯半导体科技有限公司裴翔鹰获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请的专利一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111421361.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法是由裴翔鹰;叶天爱;李长苏设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅电极气孔刻蚀装置，包括带有酸液循环结构的治具组件，所述的治具组件内部设置有卡接装置，所述的卡接装置内部卡接有多层分流板，多层分流板上方的卡接装置上设置有硅电极压槽；所述的分流板上设置有若干连通酸液循环结构的液孔，相邻两层分流板上的液孔错位设置。还公开了一种利用硅电极气孔刻蚀装置进行硅电极气孔刻蚀的方法。该硅电极气孔刻蚀装置，解决了硅电极刻蚀时气孔刻蚀不到和不均匀的问题；酸液从底部进入，在内循环流动，酸液槽及分流板的设置，既能够降低酸液的压力，又能够有效阻挡杂质，并通分流板上下错位转动，调节酸液的流速，使整体更加均匀；装置采用耐腐蚀性好的塑料材质，有效避免杂质离子的代入和掺杂。
本发明授权一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种硅电极气孔刻蚀装置，其特征在于：包括带有酸液循环结构的治具组件（2），所述的治具组件（2）内部设置有卡接装置（3），所述的卡接装置（3）内部卡接有多层分流板（4），多层分流板（4）上方的卡接装置（3）上设置有硅电极压槽（5）；所述的分流板（4）上设置有若干连通酸液循环结构的液孔（6），相邻两层分流板（4）上的液孔（6）错位设置；所述的卡接装置（3）包括周向相互卡接的公套环（31）和母套环（32），所述的公套环（31）和母套环（32）的环壁上自下向下沿轴向设置有多道周向分流板卡槽（33），所述的硅电极压槽（5）设置在公套环（31）和母套环（32）的内壁顶端。
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