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龙图腾网恭喜湖北科技学院申请的专利一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113687560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111153627.7，技术领域涉及：G02F3/02；该发明授权一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器是由方明设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于鲁丁‑夏皮诺光子晶体的光逻辑器，属于全光通讯技术领域。包括两个对称分布的二元RS光子晶体和两个石墨烯单层，二元RS光子晶体包括若干第一电介质层和若干第二电介质层，第一电介质层记为H，第二电介质层记为L，石墨烯单层记为G，二元RS光子晶体表示为HHHLHHLH，光逻辑器表示为HHHLHHLH1GH2H2GH1LHHLHHH，其中H1GH2和H2GH1均表示石墨烯单层嵌入第一电介质层内形成的三层结构，第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的14，第一电介质层和第二电介质层分别为折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片。本发明具有判决阈值低等优点。

本发明授权一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器在权利要求书中公布了：1.一种基于鲁丁-夏皮诺光子晶体的光逻辑器，其特征在于，包括两个对称分布的二元RS光子晶体和两个石墨烯单层，所述二元RS光子晶体包括若干第一电介质层、若干第二电介质层，所述第一电介质层记为H，所述第二电介质层记为L，所述石墨烯单层记为G，所述二元RS光子晶体表示为HHHLHHLH，所述光逻辑器表示为HHHLHHLH1GH2H2GH1LHHLHHH，其中H1GH2和H2GH1均表示石墨烯单层嵌入第一电介质层内形成的三层结构，所述第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自光学波长的14，所述第一电介质层和第二电介质层分别为折射率高、低不同的两种均匀电介质薄片；所述基于鲁丁-夏皮诺的光子晶体的光逻辑器可实现低阈值光学双稳态，双稳态的上、下阈值分别对应着光存储器逻辑1和逻辑0的判决阈值。

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