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龙图腾网恭喜天地(常州)自动化股份有限公司;中煤科工集团常州研究院有限公司申请的专利MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114624293B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111149527.7，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法是由贺耀宜;张振;王海波;张清;周李兵;颜培宇;王芳;张海庆;胡文涛;张一波设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：将二氧化锡靶材和金靶材分别安装在磁控溅射仪的不同的磁控溅射靶上，将高纯度的氩气接入磁控溅射仪的进气口，将微加热板放入磁控溅射仪内，调整磁控溅射靶与微加热板之间的溅射距离H；S2：将磁控溅射仪的工作靶材选为二氧化锡靶材，开启磁控溅射仪的总电源，开始抽真空，将真空室的气压调整至5*10‑3Pa以下，设置微加热板的温度为25℃；S3：打开射频溅射电源开始在微加热板表面镀二氧化锡薄膜；S4：镀二氧化锡薄膜结束后，在二氧化锡薄膜表面镀金薄膜；镀金薄膜结束后，得到金修饰的二氧化锡气敏薄膜。利用本发明，能够提高MEMS一氧化碳传感器的响应灵敏度、稳定性，并能够批量化制备MEMS一氧化碳传感器。

本发明授权MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将二氧化锡靶材和金靶材分别安装在磁控溅射仪的不同的磁控溅射靶上，将高纯度的氩气接入磁控溅射仪的进气口，将微加热板放入磁控溅射仪内，调整磁控溅射靶与微加热板之间的溅射距离H，溅射距离H为50-200mm；关闭磁控溅射仪的腔门和放气阀，关闭流量计；S2：将磁控溅射仪的工作靶材选为二氧化锡靶材，开启磁控溅射仪的总电源，启动机械泵并打开截止阀，开始抽真空，当真空室气压降到7Pa以下时，打开分子泵工作按钮，当分子泵稳定后，将真空室的气压调整至5*10-3Pa以下，设置微加热板的温度为25℃；S3：打开调压开关，打开进气阀，打开流量计，通入氩气并调节真空室内的气压至0.1Pa-10Pa，打开射频溅射电源开始在微加热板表面镀二氧化锡薄膜；镀二氧化锡薄膜时，射频溅射电源的功率设置为20W-100W，溅射时间设置为0.5-5小时；二氧化锡薄膜的厚度为500-1500nm；S4：镀二氧化锡薄膜结束后，关闭射频溅射电源，关闭流量计、进气阀和调压开关，将磁控溅射仪的工作靶材更换为金靶材，重新将真空室的气压调整至5*10-3Pa以下，再次打开调压开关、进气阀和流量计，通入氩气并调节真空室内的气压至0.1Pa-10Pa，打开射频溅射电源开始在二氧化锡薄膜表面镀金薄膜；射频溅射电源的功率设置为20W-100W，溅射时间设置为5-60秒；金薄膜的厚度为1-10nm；镀金薄膜结束后，得到金修饰的二氧化锡气敏薄膜。

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