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龙图腾网恭喜一能科技有限公司申请的专利具有横向P+区域的碳化硅MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115708223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111094091.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有横向P+区域的碳化硅MOSFET器件是由叶菊芳设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有横向P+区域的碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件，其包括第一掺杂类型的碳化硅基底、位于碳化硅基底之上的第一掺杂类型的第一碳化硅层、嵌入第一碳化硅层的顶部分中的第二掺杂类型的第二碳化硅层、嵌入第二碳化硅层的顶部分的第一掺杂类型的第三碳化硅层、与第一碳化硅层、第二碳化硅层及第三碳化硅层重叠的栅极氧化层、以及沿垂直于碳化硅基底的方向至少部分地与第二碳化硅层重叠的第四碳化硅层。在一些实施例中，与N+区横向布置的P+区允许足够的P+面积以实现良好的体二极管性能和对栅极氧化物的保护，但不占用MOSFET单元的显著面积。

本发明授权具有横向P+区域的碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件，包括：a第一掺杂类型的碳化硅基底；b位于所述碳化硅基底之上的第一掺杂类型的第一碳化硅层，该第一碳化硅层具有比所述碳化硅基底低的掺杂量并且限定一漂移区；c嵌入所述第一碳化硅层的顶部的第二掺杂类型的第二碳化硅层；该第二碳化硅层包括大体上沿第一方向延伸的多个第二部分；d嵌入所述第二碳化硅层的顶部的第一掺杂类型的第三碳化硅层；该第三碳化硅层的掺杂量高于所述第一碳化硅层；该第三碳化硅层包括大体上沿所述第一方向延伸的多个第三部分；以及e与所述第一碳化硅层、所述第二碳化硅层和所述第三碳化硅层重叠的栅极氧化层，且该栅极氧化层与多晶硅层接触；其中，所述碳化硅MOSFET器件还包括沿垂直于所述碳化硅基底的方向至少部分地与所述第二碳化硅层重叠的第四碳化硅层；该第四碳化硅层具有比所述第二碳化硅层更高的掺杂量，并包括多个第四部分；所述第四部分大体上沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述碳化硅基底；其中，所述第一掺杂类型为N且所述第二掺杂类型为P；所述第三碳化硅层为N+层，且所述第三碳化硅层的所述第三部分沿所述第二方向相互隔开；所述第四碳化硅层为P+层，且所述第四部分为沿所述第一方向相互隔开的P+部分；其中，所述第二碳化硅层包括多个沿所述第二方向相互隔开的P-阱区。

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