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龙图腾网恭喜华中科技大学;深圳华中科技大学研究院申请的专利阵列互联的CsPbCl₃紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113659039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110961231.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权阵列互联的CsPbCl₃紫外光电探测器及其制备方法是由廖广兰;张许宁;刘智勇;孙博;刘星月;叶海波设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列互联的CsPbCl₃紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。

本发明授权阵列互联的CsPbCl₃紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在衬底上制备十字交叉型电极阵列；具体包括如下步骤：采用光刻套刻工艺进行金属电极阵列与介电层掩膜版图形的转移，根据金属电极阵列与介电层掩膜版图形，采用镀膜工艺依次在衬底上沉积横向金属电极、介电薄膜、纵向金属电极，其中，横向金属电极与纵向金属电极垂直交叉分布，介电薄膜位于横向金属电极与纵向金属电极交叉处；S2、采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，根据该CsCl前驱体掩膜版图形，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中，并与其连接；S3、采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，然后退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜，完成阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器的制备；所述薄膜沉积工艺为双源共蒸镀或单源连续蒸镀。

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