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龙图腾网恭喜乙力国际股份有限公司申请的专利一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110931303.5，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法是由林俊荣;王宏;吕河江设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法，该结构通过利用激光同时将微型LED芯片1与控制基板2焊接到一起得到；微型LED芯片1包括芯片基板14以及固定于芯片基板14上的多个LED晶片11；多个LED晶片11具有共同的第一负电极12，且多个LED晶片11分别具有独立的第一正电极13；控制基板2位于微型LED芯片1的下方，其包括控制基板主体21以及位于控制基板主体21上的多个第二正电极22和一个第二负电极23；其中，第一负电极12的纵向厚度等于第一正电极13的纵向厚度；第二负电极23的纵向厚度等于第二正电极22的纵向厚度与LED晶片11的纵向厚度之和，该厚度使得在共晶焊接时，加热相同的时间可完成焊接，解决了在激光共晶焊接的时候，第一正电极13已经熔化，而第一负电极12厚度太厚，还未熔化的问题。

本发明授权一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型LED芯片与控制基板共晶结构，其特征在于，其通过利用激光同时将微型LED芯片（1）与控制基板（2）焊接到一起得到；其包括控制基板（2）和具有多个LED晶片的微型LED芯片（1）；所述微型LED芯片（1）包括芯片基板（14）以及固定于所述芯片基板（14）上的多个LED晶片（11）；多个LED晶片（11）具有共同的第一负电极（12），且多个LED晶片（11）分别具有独立的第一正电极（13）；所述控制基板（2）位于所述微型LED芯片（1）的下方，其包括控制基板主体（21）以及位于所述控制基板主体（21）上的多个第二正电极（22）和一个第二负电极（23）；其中，所述第一负电极（12）的纵向厚度等于所述第一正电极（13）的纵向厚度；所述第二负电极（23）的纵向厚度等于所述第二正电极（22）的纵向厚度与所述LED晶片（11）的纵向厚度之和；所述第一正电极（13）包括从所述芯片基板（14）一侧开始，依次排列的第一钛或者铬层（24）、第二镍层（25）、第三金锡层（26）；所述第一负电极（12）包括从所述芯片基板（14）一侧开始，依次排列的第一钛或者铬层（24）、第二镍层（25）、第三金锡层（26）。

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