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龙图腾网恭喜迈思普电子股份有限公司申请的专利高频开关整流吸收电路瞬态模型及电路参数测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113824299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110902015.7，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权高频开关整流吸收电路瞬态模型及电路参数测试方法是由游伏生;罗赞兴设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本高频开关整流吸收电路瞬态模型及电路参数测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一频开关整流吸收电路瞬态模型，包括信号电压Vin，信号电压串联接有电阻R1、电感L和电容Ce，电容Ce上并联接有整流二极管D1D2，整流二极管D1D2上并联接有电容C2和电阻R2；高频开关整流吸收电路参数测试方法，包括以下步骤：S1、将R2短路，C2开路，测试整流D1D2的反向电压的最大电压Voff和震荡频率f0，震荡频率f0的计算公式为S2、将R2短路，逐渐增加电容C2，使得震荡频率f＝f02；S3、计算寄生电容Ce和寄生电感L，寄生电容Ce的计算公式为Ce＝C23，寄生电感L的计算公式为L＝1Ce2πfo2；S4、计算吸收电阻R2和吸收电容C2，吸收电阻R2的计算公式为吸收电容C2的计算公式为本发明的优点在于：可一次性得到最优吸收电路参数。

本发明授权高频开关整流吸收电路瞬态模型及电路参数测试方法在权利要求书中公布了：1.高频开关整流吸收电路瞬态模型，包括信号电压Vin，其特征在于：所述信号电压串联接有电阻R1、电感L和电容Ce，所述电容Ce上并联接有整流二极管D1D2，所述整流二极管D1D2上并联接有电容C2和电阻R2；高频开关整流吸收电路参数测试方法，包括以下步骤：S1、将R2短路，C2开路，测试整流二极管D1D2的反向电压的最大电压Voff和震荡频率f0，所述震荡频率f0的计算公式为S2、将R2短路，逐渐增加电容Ce，使得震荡频率f＝f02；S3、计算寄生电容Ce和寄生电感L，所述寄生电容Ce的计算公式为Ce＝C23，所述寄生电感L的计算公式为L＝1Ce2πf02；S4、计算吸收电阻R2和吸收电容C2，所述吸收电阻R2的计算公式为所述吸收电容C2的计算公式为其中Va为预计的电压复幅度。

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