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龙图腾网获悉富士新材(深圳)有限公司申请的专利一种透明盖板及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113597179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110865766.6，技术领域涉及：H05K5/03；该发明授权一种透明盖板及其制备方法、电子设备是由林方婷;赵安;张凯;胡含设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种透明盖板及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种透明盖板及其制备方法、电子设备。该透明盖板包括：透明基板，设有相背设置的第一侧及第二侧；透明导电层，设置在透明基板的第一侧上；电极，与透明导电层电连接，用于向透明导电层提供电信号，以使透明导电层产生热量。通过这种方式，能够改善电子设备的透明盖板在低温环境下结露或发雾等问题，从而提高透明盖板的透视性及电子产品的性能。

本发明授权一种透明盖板及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种透明盖板，其特征在于，用于电子设备，所述透明盖板包括：透明基板，设有相背设置的第一侧及第二侧；透明导电层，设置在所述透明基板的第一侧上；电极，与所述透明导电层电连接，用于向所述透明导电层提供电信号，以使所述透明导电层产生热量；其中，所述透明盖板进一步包括：第二增透层，设置在所述透明导电层背离所述透明基板的一侧上，用于提高所述透明基板的透射率；所述电极设置在所述透明导电层背离所述透明基板的一侧上，且位于所述第二增透层的外周；所述透明盖板的透视侧与所述透明盖板的第一侧同侧设置；其中，所述透明盖板进一步包括：第一增透层，设置在所述透明基板的第二侧上，用于提高所述透明基板的透射率；所述第一增透层包括依次层叠设置在所述透明基板的第二侧上的Si3N4膜层、SiO2膜层、Si3N4膜层、SiO2膜层及MgF2膜层；其中，靠近所述透明基板的第二侧的Si3N4膜层的厚度范围为8-22nm，靠近所述透明基板的第二侧的SiO2膜层的厚度范围为18-42nm，靠近所述MgF2膜层的Si3N4膜层的厚度范围为78-122nm，靠近所述MgF2膜层的SiO2膜层的厚度范围为48-82nm，所述MgF2膜层的厚度范围为18-42nm；其中，所述第二增透层包括：依次层叠设置在所述透明导电层背离所述透明基板一侧的第三膜层、第四膜层及第五膜层，所述第三膜层位于所述透明导电层与所述第四膜层之间；其中，所述第五膜层的折射率小于所述第四膜层的折射率；所述第四膜层为TiO2膜层、Nb2O5膜层、Ta2O5膜层或Si3N4膜层中的任一种，所述第三膜层及所述第五膜层为SiO2膜层；所述第三膜层的厚度范围为28-47nm，所述第四膜层的厚度范围为78-107nm，所述第五膜层的厚度范围为68-98nm；所述透明导电层的厚度范围为18-42nm。

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