厦门市三安集成电路有限公司何先良获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110719930.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高电子迁移率晶体管及其制备方法是由何先良;林志东;魏鸿基设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括在第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极。在第二N+型掺杂层上形成第一凹槽。在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻挡层上形成第三凹槽，其中，第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通以作为栅极凹槽。在栅极凹槽内沉积金属以形成与低能隙遂穿层接触的栅极。由于在栅极和势垒层之间插入了低能隙遂穿层，在第一N型掺杂层和第二N+型掺杂层之间设置有砷化铟镓刻蚀阻挡层，故，可以有效降低源极和漏极的欧姆接触的电阻，进而进一步的降低器件导通电阻，便于提高器件性能。
本发明授权一种高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依序形成沟道层、第一隔离层、第一掺杂层、势垒层、低能隙遂穿层、砷化铝刻蚀阻挡层、第一N型掺杂层、砷化铟镓刻蚀阻挡层和第二N+型掺杂层；在所述第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极；在所述源极和所述漏极之间的区域刻蚀所述第二N+型掺杂层并终止于所述砷化铟镓刻蚀阻挡层以形成第一凹槽；在所述第一凹槽内依序刻蚀所述砷化铟镓刻蚀阻挡层和所述第一N型掺杂层并终止于所述砷化铝刻蚀阻挡层以形成第二凹槽；在所述第二凹槽内刻蚀所述砷化铝刻蚀阻挡层并终止于所述低能隙遂穿层以形成第三凹槽，其中，所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽连通以作为栅极凹槽；在所述栅极凹槽内沉积金属以形成与所述低能隙遂穿层接触的栅极。
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