恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑文豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光刻系统与在光刻系统中产生层流的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113325669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110621420.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻系统与在光刻系统中产生层流的设备是由郑文豪设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻系统与在光刻系统中产生层流的设备在说明书摘要公布了：一种光刻系统包括辐射源及光掩模。辐射源被配置成产生朝光掩模行进的电磁辐射。光刻系统还包括位于辐射源与光掩模之间的用于使电磁辐射穿过的入射通道。具有第一喷嘴及第二喷嘴，第一喷嘴被配置成在光掩模与入射通道的出口端口之间产生第一微粒屏蔽体且第二喷嘴被配置成在入射通道内产生第二微粒屏蔽体。
本发明授权光刻系统与在光刻系统中产生层流的设备在权利要求书中公布了：1.一种光刻系统，其特征在于，包括：辐射源，被配置成产生电磁辐射；光掩模；入射通道，位于所述辐射源与所述光掩模之间，用于使所述电磁辐射朝所述光掩模行进；第一喷嘴，被配置成在所述光掩模与所述入射通道的出口端口之间产生第一微粒屏蔽体；以及第二喷嘴，被配置成在所述入射通道内产生第二微粒屏蔽体，其中所述第二喷嘴包括侧壁及分流器，所述侧壁界定具有输入端口及输出端口的气体连通通道，所述分流器将所述气体连通通道分成两个子通道，其中所述分流器突出出所述输出端口，其中所述分流器包括靠近所述输入端口的第一端部部分，其中所述侧壁的邻近所述输入端口的部分具有与所述第一端部部分的表面平行的内表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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