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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115367693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110542788.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法是由王晓东;宋培帅;司朝伟;何昱蓉;魏江涛;杨亮亮;杨富华设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。

本发明授权一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a：采用刻蚀工艺在SOI晶圆（1）的顶硅层（2）刻蚀出对版标记（3），SOI晶圆是由顶硅层（2），埋氧层（11）和背硅层（10）组成；b：采用两次离子注入和退火，在所述SOI晶圆（1）的所述顶硅层（2）分别形成欧姆接触区（4）、压敏电阻（5）和参考电阻（13）；c：在所述SOI晶圆（1）的所述顶硅层（2）上制作金属电极（6），并对所述金属电极（6）与所述欧姆接触区（4）进行欧姆接触退火；d：在所述SOI晶圆（1）的所述顶硅层（2）上制作第一金属薄膜（7）；e：在第一玻璃片（8）上采用图形化工艺制备第二金属薄膜（9）；f：通过所述第二金属薄膜（9）和所述第一金属薄膜（7）对所述第一玻璃片（8）和所述SOI晶圆（1）光刻对准、热压键合；g：采用化学机械抛光方法对所述SOI晶圆（1）的背硅层（10）进行减薄；h：在所述SOI晶圆（1）的所述背硅层（10）上，感压薄膜（12）对应的位置上制备图形化的光刻胶，并作为掩模，采用BOSCH工艺刻蚀所述SOI晶圆（1）的所述背硅层（10），刻蚀截至到埋氧层（11）；i：腐蚀所述埋氧层（11），去光刻胶掩膜，清洗所述SOI晶圆（1）；j：采用阳极键合方法将所述SOI晶圆（1）的所述背硅层（10）与第二玻璃片（14）进行键合；k：采用化学机械抛光方法对第二玻璃片（14）进行减薄；l：按照压力传感器尺寸进行划片；m：将裂片后的MEMS器件放在化学溶液中腐蚀用于热压键合的所述第二金属薄膜（9）和所述第一金属薄膜（7），去除所述第一玻璃片（8），其中，所述欧姆接触区（4）位于所述压敏电阻（5）和所述参考电阻（13）两端，并与所述压敏电阻（5）和所述参考电阻（13）相连；所述步骤m中的所述化学溶液对不同的金属材料具有选择性腐蚀能力；其中，所述化学溶液对所述第一金属薄膜（7）和所述第二金属薄膜（9）具有腐蚀性，对所述金属电极（6）没有腐蚀性或腐蚀性微弱。

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