恭喜台湾积体电路制造股份有限公司余振华获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装件和制造半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110410049.4，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装件和制造半导体封装件的方法是由余振华;林咏淇;邱文智设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件和制造半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件封装件包括在界面处直接接合至第二管芯的第一管芯，其中该界面包括导体与导体键。该半导体器件封装件还包括围绕该第一管芯和该第二管芯的密封剂以及延伸穿过该密封剂的多个贯通孔。该多个贯通孔邻近该第一管芯和该第二管芯设置。该半导体器件封装件还包括延伸穿过该密封剂的多个热通孔以及电连接至该第一管芯、该第二管芯、和该多个贯通孔的再分布结构。该多个热通孔在该第二管芯的表面上并与第一管芯相邻地设置。根据本申请的实施例，还提供了制造半导体封装件的方法。
本发明授权半导体封装件和制造半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件封装件，包括：第一管芯，在界面处直接接合至第二管芯，其中所述界面包括导体与导体键，所述第一管芯包括半导体衬底和延伸穿过所述半导体衬底的多个贯通孔；密封剂，围绕所述第一管芯和所述第二管芯；多个热通孔，延伸穿过所述密封剂，其中，所述多个热通孔在所述第一管芯的顶面上并与所述第二管芯相邻地设置；再分布结构，电连接至所述第一管芯、所述第二管芯、和所述多个贯通孔；第一导电接合层，位于所述第二管芯和所述密封剂上；以及衬底，通过第二导电接合层接合至所述第一导电接合层，其中，所述第一导电接合层与所述第二导电接合层物理接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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