恭喜台湾积体电路制造股份有限公司赖昱安获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110275812.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法是由赖昱安;陈建宏;黄若榕;杨钧沂;陈昆龙设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法在说明书摘要公布了：本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道FEOL工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。
本发明授权氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于堆叠氮化镓场效应晶体管的可靠性测试装置，其特征在于包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管耦接到多个监测端点，所述高端驱动器和所述低端驱动器、所述驱动器电路、以及所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管在前道工艺期间在同一半导体器件层上被制造。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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