恭喜美光科技公司J·D·格林利获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110268041.9，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统是由J·D·格林利;C·G·埃莫;L·富马加利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;C·W·佩茨;E·A·麦克蒂尔设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在说明书摘要公布了：本申请涉及形成微电子装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括第一导电结构、阻挡结构、导电衬里结构和第二导电结构。所述第一导电结构在第一介电结构中的第一填充开口内。所述阻挡结构在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构。所述导电衬里结构在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内。所述第二导电结构竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
本发明授权形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括：第一导电结构，其在第一介电结构中的第一填充开口内；阻挡结构，其大体上约束于所述第一介电结构中的所述第一填充开口的水平边界和竖直边界内，所述阻挡结构竖直地上覆所述第一导电结构；导电衬里结构，其在第一水平方向上在所述阻挡结构的上表面上的中心处且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内，所述导电衬里结构大体上约束于所述阻挡结构的水平边界内；和第二导电结构，其竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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