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龙图腾网恭喜瑞昱半导体股份有限公司申请的专利高速差分转阻抗放大器及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114123992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110235232.5，技术领域涉及：H03F1/42；该发明授权高速差分转阻抗放大器及其方法是由林嘉亮设计研发完成，并于2021-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本高速差分转阻抗放大器及其方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种差分转阻抗放大器及其方法。所述差分转阻抗放大器包含：一第一对共栅极放大器，该第一对共栅极放大器包含通过一第一电容器及一第二电容器配置成交叉耦合拓扑的一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管；以及一第二对共栅极放大器，该第二对共栅极放大器包含通过一第三电容器及一第四电容器配置成交叉耦合拓扑的一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管。该第一对共栅极放大器的输出及该第二对共栅极放大器的输出通过一第五电容器及一第六电容器耦合。

本发明授权高速差分转阻抗放大器及其方法在权利要求书中公布了：1.一种差分转阻抗放大器，包含：一第一差分对，包含一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管；一第二差分对，包含一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管；一第一电容器；一第二电容器；一第三电容器；一第四电容器；一第五电容器；一第六电容器；一第一偏压网络；一第二偏压网络；一第三偏压网络；一第四偏压网络；一第一负载网络；一第二负载网络；一第三负载网络；以及一第四负载网络；其中，该第一NMOS晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到一第一输入节点、一第一栅极节点及一第一输出节点；该第二NMOS晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到一第二输入节点、一第二栅极节点及一第二输出节点；该第一PMOS晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到该第一输入节点、一第三栅极节点及一第三输出节点；该第二PMOS晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到该第二输入节点、一第四栅极节点及一第四输出节点；该第一电容器将该第一栅极节点耦接到该第二输入节点；该第二电容器将该第二栅极节点耦接到该第一输入节点；该第三电容器将该第三栅极节点耦接到该第二输入节点；该第四电容器将该第四栅极节点耦接到该第一输入节点；该第五电容器将该第一输出节点耦接到该第三输出节点；该第六电容器将该第二输出节点耦接到该第四输出节点；该第一偏压网络在该第一栅极节点建立一第一直流偏压；该第二偏压网络在该第二栅极节点建立一第二直流偏压；该第三偏压网络在该第三栅极节点建立一第三直流偏压；该第四偏压网络在该第四栅极节点建立一第四直流偏压；该第一负载网络在一电源节点与该第一输出节点之间提供直流耦合；该第二负载网络在该电源节点与该第二输出节点之间提供直流耦合；该第三负载网络在一接地节点与该第三输出节点之间提供直流耦合；以及该第四负载网络在该接地节点与该第四输出节点之间提供直流耦合。

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