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龙图腾网恭喜中国科学院理化技术研究所申请的专利一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110095541.7，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法是由王丹妹;吴雨辰设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法。所述光电器件包括电极层，二氧化硅基底，以及分布在二氧化硅基底上的钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列；所述钙钛矿同轴异质一维纳米线为核壳结构；所述核壳结构以分子式为A1‑nBnCX3的钙钛矿作为核层，以分子式为A1‑nCsnCY3的钙钛矿作为壳层；其中0≦n≦1，A为HCNH22+或CH3NH3+，B为Cs+，C为Ge2+，Sn2+和Pb2+中的一种，X和Y各自独立的为Cl、Br和I中的一种，且X与Y不相同。该光电器件由于具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列，其钙钛矿可以形成异质结，有利于电子和空穴的传输，从而提高光电器件的开关比和响应度。

本发明授权一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1在模板表面滴加分子式为A1-nBnCX3的钙钛矿前驱体溶液，然后在其上覆盖二氧化硅基底，形成三明治结构，烘干使溶剂挥发，得到分布有钙钛矿一维纳米线阵列的二氧化硅基底；2将所述二氧化硅基底有钙钛矿一维纳米线阵列的一面朝上，浸泡在卤素Y离子源溶液中，进行离子交换，随后清洗，加热，得到分布有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵的二氧化硅基底；3在所述钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的表面沉积电极层，即得；其中，钙钛矿同轴异质一维纳米线为核壳结构；所述核壳结构以分子式为A1-nBnCX3的钙钛矿作为核层，以分子式为A1-nBnCY3的钙钛矿作为壳层；其中0≦n≦1，A为HCNH22+或CH3NH3+，B为Cs+，C为Ge2+，Sn2+和Pb2+中的一种，所述X和Y各自独立的为Cl、Br和I中的一种，且X与Y不相同；步骤2中，所述卤素Y离子源为：油胺氯、油胺溴和油胺碘中的一种；所述卤素Y离子源溶液的浓度为1-10mgmL；步骤2中，所述离子交换的条件为：温度为室温，时间为12-48小时。

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