恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄宏书获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和集成电路以及形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086383.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件和集成电路以及形成半导体器件的方法是由黄宏书;刘铭棋;周东和设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和集成电路以及形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例提供一种用于形成具有高的厚度均匀性的凹进的栅极电极的方法。栅极介电层沉积为作为凹进的衬垫，多层薄膜沉积为作为凹进的衬垫位于栅极介电层上方。多层薄膜包括栅极电极层、位于栅极电极层上方的第一牺牲层、以及位于第一牺牲介电层上方的第二牺牲层。平坦化实施至第二牺牲层中，并且停止在第一牺牲层上。第一蚀刻实施至第一牺牲层和第二牺牲层中，以去除凹进的侧面处的第一牺牲层。使用第一牺牲层作为掩模，第二蚀刻实施至栅极电极层中，以形成凹进的栅极电极。在第二蚀刻之后实施第三蚀刻，以去除第一牺牲层。根据本申请的实施例，还提供了半导体器件和集成电路。
本发明授权半导体器件和集成电路以及形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成位于衬底上面的凹进；沉积栅极介电层，所述栅极介电层作为所述凹进的衬垫，并且部分地填充所述凹进；沉积多层薄膜，所述多层薄膜填充所述栅极介电层上方的所述凹进的其余部分，并且包括栅极电极层、位于所述栅极电极层上方的第一牺牲层、以及位于所述第一牺牲层上方的第二牺牲层；实施平坦化至所述第二牺牲层中，所述平坦化停止在所述第一牺牲层上，并且去除所述凹进的侧面处的所述第二牺牲层；实施第一蚀刻至所述第一牺牲层和所述第二牺牲层中，以去除所述凹进的侧面处的所述第一牺牲层；以及实施第二蚀刻至所述栅极电极层中，所述第二蚀刻使用所述第一牺牲层作为掩模，以去除所述凹进的侧面处的所述栅极电极层，并且在所述凹进中形成位于所述第一牺牲层下面的栅极电极。
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