恭喜爱思开海力士有限公司曹宝英获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利使用硬掩模的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110047687.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权使用硬掩模的半导体器件及其制造方法是由曹宝英;朴真希;曹秀旼设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用硬掩模的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：该技术涉及一种使用硬掩模的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括易于剥离并且能够以高的刻蚀选择性实现精细图案的硬掩模。根据本公开的实施例，一种制造半导体器件的方法包括：形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成硬掩模层，该硬掩模层包括第一硼掺杂硅层和在第一硼掺杂硅层上的第二硼掺杂硅层；并且将硬掩模层用作刻蚀阻挡层而对刻蚀目标层进行刻蚀，其中第二硼掺杂硅层具有比第一硼掺杂硅层更大的硼浓度。
本发明授权使用硬掩模的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成第一硼掺杂硅层，其中所述第一硼掺杂硅层具有第一硼浓度；在所述第一硼掺杂硅层上形成第二硼掺杂硅层，其中所述第二硼掺杂硅层具有第二硼浓度；以及将所述第一硼掺杂硅层和第二硼掺杂硅层用作刻蚀阻挡层来刻蚀所述刻蚀目标层，其中，所述第二硼掺杂硅层的第二硼浓度大于所述第一硼掺杂硅层的第一硼浓度，其中，在所述第一硼掺杂硅层的第一硼浓度下，剥离进行得比所述第二硼掺杂硅层更快，并且在所述第二硼掺杂硅层的第二硼浓度下，使得对于所述刻蚀目标层的刻蚀选择性大于所述第一硼掺杂硅层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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