恭喜美商新思科技有限公司S·阿莫罗索获国家专利权
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龙图腾网恭喜美商新思科技有限公司申请的专利制造用于三维(3D)NAND存储器的单晶垂直定向硅沟道的电热法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091676.X，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权制造用于三维(3D)NAND存储器的单晶垂直定向硅沟道的电热法是由S·阿莫罗索;V·莫洛兹设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造用于三维(3D)NAND存储器的单晶垂直定向硅沟道的电热法在说明书摘要公布了：一种形成多个垂直NAND存储器单元的方法，部分地包括在硅衬底50上形成多种绝缘材料20，30，在绝缘材料中形成沟槽以暴露硅衬底的表面，沿着沟槽的侧壁沉积多晶硅层，用氧化物80填充沟槽，在沟槽上方形成金属层90，并通过在硅衬底与金属层之间施加电压98以使多晶硅侧壁熔化、并使得熔化的多晶硅侧壁能够再结晶成单晶沟道，来形成用于NAND存储器单元的单晶沟道。
本发明授权制造用于三维(3D)NAND存储器的单晶垂直定向硅沟道的电热法在权利要求书中公布了：1.一种形成多个垂直NAND存储器单元的方法，所述方法包括：在硅衬底上形成多种绝缘材料；在所述多种绝缘材料中形成沟槽，其中所述沟槽暴露所述硅衬底的表面；沿着所述沟槽的侧壁沉积多晶硅层；用氧化物填充所述沟槽；在所述沟槽上方形成金属层；以及通过以下方式形成用于所述多个NAND存储器单元的单晶沟道：在所述硅衬底与所述金属层之间施加电压，以使所述多晶硅侧壁熔化；以及使得熔化的所述多晶硅侧壁能够再结晶成所述单晶沟道；所述方法还包括：在施加所述电压之后，在所述金属层与所述衬底之间施加多个电压脉冲，其中在第一时间点与第二时间点之间施加的脉冲高度高于在所述第二时间点与第三时间点之间施加的脉冲高度，其中所述第一时间点发生在所述第二时间点之前，并且其中所述第二时间点发生在所述第三时间点之前。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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