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龙图腾网恭喜日产化学株式会社申请的专利粘接剂组合物、层叠体及其制造方法、层叠体的剥离方法以及半导体形成基板的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114867810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089720.3，技术领域涉及：C09J201/00；该发明授权粘接剂组合物、层叠体及其制造方法、层叠体的剥离方法以及半导体形成基板的加工方法是由绪方裕斗;新城彻也;荻野浩司;森谷俊介;奥野贵久;福田拓也;柳井昌树设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本粘接剂组合物、层叠体及其制造方法、层叠体的剥离方法以及半导体形成基板的加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分S；以及剥离成分H，由复数粘度为3400Pa·s以上的聚有机硅氧烷构成。

本发明授权粘接剂组合物、层叠体及其制造方法、层叠体的剥离方法以及半导体形成基板的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种粘接剂组合物，其包含：粘接剂成分S；以及剥离成分H，由在25℃下利用AntonPaar株式会社制流变仪MCR-302测定出的复数粘度为3400Pa·s以上的聚有机硅氧烷构成，所述聚有机硅氧烷包含选自由含环氧基的聚有机硅氧烷、含甲基的聚有机硅氧烷以及含苯基的聚有机硅氧烷构成的组中的至少一种，所述粘接剂成分S包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分A，所述通过氢化硅烷化反应而固化的成分A包含聚硅氧烷A1和铂族金属系催化剂A2，所述聚硅氧烷A1包含聚有机硅氧烷a1和聚有机硅氧烷a2，所述聚有机硅氧烷a1包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q’单元、R1’R2’R3’SiO12所示的硅氧烷单元即M’单元、R4’R5’SiO22所示的硅氧烷单元即D’单元以及R6’SiO32所示的硅氧烷单元即T’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种，其中，所述R1’～R6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基或烯基，但所述R1’～R6’中的至少一方为所述烯基，所述聚有机硅氧烷a2包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q”单元、R1”R2”R3”SiO12所示的硅氧烷单元即M”单元、R4”R5”SiO22所示的硅氧烷单元即D”单元以及R6”SiO32所示的硅氧烷单元即T”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种，其中，所述R1”～R6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基或氢原子，但所述R1”～R6”中的至少一方为氢原子，所述聚有机硅氧烷a1所含的烯基与所述聚有机硅氧烷a2所含的构成Si－H键的氢原子的摩尔比为1.0∶0.5～1.0∶0.66的范围，所述粘接剂成分S与所述剥离成分H的质量比为粘接剂成分S∶剥离成分H＝5∶95～95∶5。

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