买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳先进技术研究院申请的专利可植入的柔性微电极阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112546434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011459423.1，技术领域涉及：A61N1/05；该发明授权可植入的柔性微电极阵列及其制备方法是由吴天准;王昊;艾姆蒂·伊史拉特·伊·埃拉嘿;曾齐设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本可植入的柔性微电极阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可植入的柔性微电极阵列，其包括：柔性聚合物衬底，所述柔性聚合物衬底上设置有用于容纳电极的位点凹坑；设置于所述位点凹坑中电极，所述电极包括第一金属层和第二金属层；覆设于所述柔性聚合物衬底上的光滑注液多孔表面层；其中，所述光滑注液多孔表面层包括：形成在所述第二金属层表面的第一纳米锥结构、形成在所述柔性聚合物衬底表面的第二纳米锥结构以及注入到所述第一纳米锥结构和所述第二纳米锥结构的孔隙中的润滑剂。本发明还提供了一种如上所述的柔性微电极阵列的制备方法。本发明的柔性微电极阵列降低了植入电极对胶质细胞的吸附能力，通过减少星形细胞和小胶质细胞在植入电极上粘附来提高植入电极的稳定性。

本发明授权可植入的柔性微电极阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可植入的柔性微电极阵列的制备方法，其特征在于，包括：在刚性基底上通过旋涂工艺制备获得第一柔性聚合物薄膜层；在所述第一柔性聚合物薄膜层上涂覆光刻胶，通过曝光显影工艺制备形成光刻胶掩膜版；在所述光刻胶掩膜版的遮挡下，在所述第一柔性聚合物薄膜层上依次溅射沉积第一金属层和第二金属层；剥离所述光刻胶掩膜版，在所述第一柔性聚合物薄膜层上获得所述电极；在所述第一柔性聚合物薄膜层上涂覆形成第二柔性聚合物薄膜层；对所述第二柔性聚合物薄膜层进行干法刻蚀以使得所述电极暴露出；将所述第一柔性聚合物薄膜层从所述刚性基底上剥离，制备获得包含有所述电极的柔性聚合物衬底；通过电化学沉积工艺在所述第二金属层表面制备第一纳米锥结构，通过反应离子刻蚀工艺在所述柔性聚合物衬底表面制备第二纳米锥结构；向所述第一纳米锥结构和所述第二纳米锥结构的孔隙中注入润滑剂，以形成光滑注液多孔表面层；其中，所述第一金属层的材料为Ti，所述第二金属层的材料为Pt，所述润滑剂为硅油。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳先进技术研究院，其通讯地址为：518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。