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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种纳米森林结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112520688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011269623.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种纳米森林结构的制备方法是由周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;刘洋;李茂;杨涛;李俊峰;王文武;陈大鹏设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米森林结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米森林结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面涂覆聚合物层；对所述聚合物层进行至少一次S1和S2处理：S1、通过第一等离子体进行刻蚀，S2、通过第二等离子体进行重聚形成纳米森林结构。本发明采用特殊的干法刻蚀工艺制作纳米森林结构，通过改变刻蚀与重聚的工艺参数，或者通过改变刻蚀与重聚的循环次数，可以有效控制纳米森林结构的尺寸和密度，从而得到精确可控的纳米森林结构。该制备方法具有加工成本低、加工精度高、制备工艺简单的优点，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种纳米森林结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米森林结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面涂覆聚合物层；对所述聚合物层进行至少一次S1和S2处理：S1、通过第一等离子体进行刻蚀形成纳米纤维结构，S2、通过第二等离子体对所述纳米纤维结构进行重聚形成纳米森林结构；所述第一等离子体选自氧等离子体或四氟化碳等离子体中的一种或两种的组合；所述第二等离子体选自氩等离子体、氦等离子体和甲烷等离子体中的一种或两种以上的组合；所述刻蚀的条件包括：腔室压力为1-100mT，上电极功率范围100-1000W，下电极功率范围0-1000W；所述重聚的条件包括：腔室压力为1-100mT，上电极功率范围100-1000W，下电极功率范围0-1000W。

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