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龙图腾网恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利具有三维结构的霍尔传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112782622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011055625.X，技术领域涉及：G01R33/07；该发明授权具有三维结构的霍尔传感器是由郑萍;刘斌;卓荣发;陈学深;R·K·贾恩;郭克文设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有三维结构的霍尔传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及具有三维结构的霍尔传感器，揭示霍尔传感器的结构以及形成霍尔传感器的结构的方法。该结构包括半导体本体，该半导体本体具有顶部表面以及定义与该顶部表面相交的霍尔表面的倾斜侧壁。该结构还包括位于该半导体本体中的阱以及位于该半导体本体中的多个接触。该阱具有部分位于该顶部表面下方且部分位于该霍尔表面下方的区段。各接触与位于该半导体本体的该顶部表面下方的该阱的该区段耦接。

本发明授权具有三维结构的霍尔传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于霍尔传感器的结构，该结构包括：半导体本体，包括第一表面11以及定义与该第一表面11相交的霍尔表面35的倾斜侧壁；第一阱22，位于该半导体本体中，该第一阱22具有部分位于该第一表面11下方且部分位于该霍尔表面35下方的第一区段30，其中，该第一阱22包括位于该半导体本体的该第一表面11下方并在该倾斜侧壁下方的该半导体本体中延伸的第三区段26；第二阱24，位于该半导体本体中，该第二阱24具有部分横向位于该第一阱22的该第三区段26与该霍尔表面35之间的第二区段32；以及多个接触点，位于该半导体本体中，各该多个接触点与位于该半导体本体的该第一表面11下方的该第一阱22的该第一区段30耦接，其中，该第一阱22的该第一区段30以条带形式沿该倾斜侧壁向下延伸。

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