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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法、半导体封装的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010863290.8，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权集成电路及其形成方法、半导体封装的形成方法是由朱景升;徐晨佑设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路及其形成方法、半导体封装的形成方法在说明书摘要公布了：一种集成电路及其形成方法及半导体封装的形成方法。集成电路包括：第一介电结构，其具有位于层间介电结构之上的第一内侧壁。第二介电结构位于第一介电结构之上，其中第一内侧壁位于第二介电结构的第二内侧壁之间。侧壁阻挡结构位于第一介电结构之上且沿第二内侧壁垂直地延伸。下部凸块结构位于第二内侧壁之间且沿第一内侧壁垂直地延伸以及沿侧壁阻挡结构的第三内侧壁垂直地延伸。上部凸块结构位于下部凸块结构及侧壁阻挡结构二者之上以及第二内侧壁之间，其中上部凸块结构的最上点位于第二介电结构的最上点处或第二介电结构的最上点下方。

本发明授权集成电路及其形成方法、半导体封装的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：接收工件，所述工件包括嵌置在层间介电结构中的内连结构且包括设置在所述层间介电结构及所述内连结构之上的第一介电层；在所述工件之上形成第一介电结构；在所述第一介电层之上以及沿所述第一介电结构的内侧壁形成侧壁阻挡结构；在所述第一介电层之上以及沿所述侧壁阻挡结构的内侧壁形成硬掩模结构，其中所述硬掩模结构的高度小于所述第一介电结构的高度；在形成所述硬掩模结构之后，移除所述侧壁阻挡结构的上部部分以使所述侧壁阻挡结构的高度小于或等于所述硬掩模结构的所述高度；移除所述第一介电层的设置在所述侧壁阻挡结构的所述内侧壁之间的部分，以形成第二介电结构；在所述层间介电结构之上形成下部凸块结构，所述下部凸块结构沿所述第二介电结构的内侧壁以及沿所述侧壁阻挡结构的所述内侧壁垂直地延伸；以及在所述下部凸块结构及所述侧壁阻挡结构二者之上形成上部凸块结构。

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