恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄冠育获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010867302.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法是由黄冠育;黄松辉;侯上勇设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件、一种电子器件以及其制造方法。半导体器件包含电路衬底、半导体封装、连接端子和支撑件。电路衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。半导体封装连接到电路衬底的第一侧。连接端子位于电路衬底的第二侧上且经由电路衬底电连接到半导体封装。支撑件位于连接端子旁边的电路衬底的第二侧上。支撑件的材料具有比连接端子的熔融温度高的熔融温度。
本发明授权半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：电路衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；半导体封装，连接到所述电路衬底的所述第一侧；连接端子，位于所述电路衬底的所述第二侧上且经由所述电路衬底电连接到所述半导体封装；以及多个支撑件，位于所述连接端子旁边的所述电路衬底的所述第二侧上，其中所述半导体封装与多个所述支撑件的至少一者之间由横向间隙隔开，其中所述支撑件的材料具有比所述连接端子的熔融温度高的熔融温度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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