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龙图腾网恭喜苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种电平位移电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112118003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010839052.3，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种电平位移电路是由涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电平位移电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电平位移电路，所述电路包括VDD为芯片电源，GND为芯片地；HB为半桥高边侧浮动电源；HS为半桥高边侧浮动地；N1、N2为承受半桥高压的MOS；电阻R1、R2为产生电压差的两个电阻；三极管Q1、Q2、Q3、Q4组成两组电流镜；三极管Q5为一路电流源，分别为Q1支路或Q3支路提供偏置电流，偏置电流的大小由偏置电压Vb和电阻R3或R4决定；P1、P2为控制两组电流镜是否产生电流的开关管，分别由脉冲信号pulse1、pulse2控制；P3、P4为采样开关管；R5、R6电阻及N3为RS锁存器产生初始状态；PulseGen模块接收DRV_IN信号，产生两路低窄脉冲信号pulse1和pulse2,RS锁存器产生输出信号DRV_OUT，该信号控制后续的驱动电路；方案新颖、简洁，可将电路功耗限制地极低，功耗值精确。

本发明授权一种电平位移电路在权利要求书中公布了：1.一种电平位移电路，其特征在于，所述电路包括VDD为芯片电源，GND为芯片地；HB为半桥高边侧浮动电源；HS为半桥高边侧浮动地；N1、N2为承受半桥高压的MOS；电阻R1、R2为产生电压差的两个电阻；三极管Q1、Q2、Q3、Q4组成两组电流镜；三极管Q5为一路电流源，分别为Q1支路或Q3支路提供偏置电流，偏置电流的大小由偏置电压Vb和电阻R3或R4决定；P1、P2为控制两组电流镜是否产生电流的开关管，分别由脉冲信号pulse1、pulse2控制；P3、P4为采样开关管；R5、R6电阻及N3为RS锁存器产生初始状态；PulseGen模块接收DRV_IN信号，产生两路低窄脉冲信号pulse1和pulse2，窄脉冲信号的波形在模块内示意；RS锁存器产生输出信号DRV_OUT，该信号控制后续的驱动电路,所述三极管Q5的集电极与芯片电源相连，三极管Q5的发射极分别连接P1和P2的Source端，三极管Q5的基极与偏置电压Vb相连，P1的Gate端接pulse1信号，P1的Drain端接电阻R3的一端，电阻R3另一端接三极管Q1的集电极、基极，及三极管Q2的基极，三极管Q1、Q2的发射极接地，三极管Q2的集电极接N1的Source端，N1的Gate端接VDD，N1的Drain端接电阻R1的一端、P3的Source端、P4的Gate端，R1的另一端接浮动电源HB；P2的Drain端接R4的一端,R4另一端接Q3的集电极、基极，及Q4的基极，三极管Q3、Q4的发射极接地，三极管Q4的集电极接N2的Source端，N2的Gate端接VDD，N2的Drain端接电阻R2的一端、P4的Source端、P3的Gate端，R2的另一端接浮动电源HB；P3的Drain端接R5的一端和RS触发器的第一输入端，R5的另一端接地，P4的Drain接R6的一端、N3的Drain端、RS触发器的第二输入端，R6的另一端接地，N3的Source端接地；N3的Gate端连接S1，S1信号为电阻R5的电压信号，HB为半桥高边侧浮动电源，设置为几十伏至几百伏，VDD为芯片电源，设置为10~30V。

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