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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010644166.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由金孝燮;金根楠;金桐䎸;金奉秀;金恩娥;尹燦植;李基硕;丁贤玉;韩成熙;黄有商设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，使位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；第二掩模，第二掩模的顶表面的高度等于或大于有源区域的顶表面的高度，第二掩模覆盖字线；以及缓冲绝缘层，在器件隔离层上，第一掩模在缓冲绝缘层的两侧布置在有源区域上，其中，有源区域具有在相对于第一方向形成锐角的倾斜方向上延伸的条形形状。

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