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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010643671.5，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权非易失性存储器器件是由金灿镐;尹敬和;边大锡设计研发完成，并于2020-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器器件在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器器件，包括：第一半导体层，具有阶梯区域和单元区域，单元区域具有形成在其中的存储单元阵列；以及第二半导体层，包括与所述存储单元阵列相连的页面缓冲器。第一半导体层包括：多条字线；接地选择线，在字线上的层中；公共源极线，在接地选择线上的层中；多个竖直传输晶体管，在阶梯区域中；以及多条驱动信号线，与公共源极线在同一层中。字线在阶梯区域中形成阶梯形状，并且每个竖直传输晶体管连接在字线中的相应字线与驱动信号线中的相应驱动信号线之间。

本发明授权非易失性存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器器件，包括：第一半导体层，包括阶梯区域和单元区域，所述单元区域包括形成在其中的存储单元阵列；以及第二半导体层，在所述第一半导体层的第一侧，所述第二半导体层包括连接到所述存储单元阵列的页面缓冲器，其中，所述第一半导体层包括：多条字线，在与所述第一半导体层垂直的竖直方向上堆叠；接地选择线，在所述多条字线上的层中；公共源极线，在所述接地选择线上的层中；多个竖直传输晶体管，在所述阶梯区域中；以及多条驱动信号线，与所述公共源极线在同一层中，其中，所述多条字线在所述阶梯区域中形成阶梯形状，以及其中，所述多个竖直传输晶体管中的每一个连接在所述多条字线中的相应字线与所述多条驱动信号线中的相应驱动信号线之间。

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