恭喜朗姆研究公司泰伊·A·斯柏林获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利钴钨膜的电沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080046980.2，技术领域涉及：C25D7/12；该发明授权钴钨膜的电沉积是由泰伊·A·斯柏林;爱德华·C·欧普森斯基;冯展格;马修·A·里格斯比;乔纳森·大卫·里德设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本钴钨膜的电沉积在说明书摘要公布了：含钨金属膜可通过电沉积而沉积于半导体衬底的凹入特征中。含钨金属膜在一定条件下电沉积，使得含钨金属膜不含或基本上不含氧化物。在电沉积期间，除其他参数外尤其对pH、钨浓度及电流密度进行条件优化。含钨金属膜可包括钴钨合金、钴镍钨合金或镍钨合金，其中含钨金属膜中的钨含量介于约1‑20原子％之间。
本发明授权钴钨膜的电沉积在权利要求书中公布了：1.一种在半导体衬底上电镀含钨金属膜的方法，所述方法包括：提供半导体衬底至电镀装置中，其中所述半导体衬底具有至少一个凹入特征，并且包括在所述至少一个凹入特征中的衬里层和或阻挡层和形成在所述衬里层和或阻挡层上的暴露的导电晶种层；使所述半导体衬底接触所述电镀装置中的电镀溶液；以及在所述电镀装置中对所述半导体衬底进行阴极偏置，以在所述衬里层和或阻挡层上电镀含钨金属膜，并且用所述含钨金属膜电化学填充所述至少一个凹入特征，其中所述含钨金属膜包括选自由钴、镍及其组合所组成的群组的金属，其中所述含钨金属膜中的钨含量介于1-20原子％之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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