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龙图腾网恭喜意法半导体有限公司申请的专利具有变化厚度的晶片级芯片规模封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010538245.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权具有变化厚度的晶片级芯片规模封装是由栾竟恩设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有变化厚度的晶片级芯片规模封装在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及具有变化厚度的晶片级芯片规模封装。本公开涉及晶片级芯片规模封装WLCSP，其具有厚度不同的部分。WLSCP中的裸片的第一无源表面包括多个表面。多个表面可以包括倾斜表面或平坦表面。具有剩余的更多半导体材料的裸片的更厚的部分是非关键部分，其增加WLCSP的强度以用于在形成之后的进一步处理和操纵，而更薄的部分是减少WLCSP与PCB之间热膨胀系数CTE失配的关键部分。

本发明授权具有变化厚度的晶片级芯片规模封装在权利要求书中公布了：1.一种设备，包括：半导体材料的裸片，所述裸片包括：中心区域和围绕所述中心区域的外围区域；所述半导体材料的在所述中心区域的第一表面，具有第一表面积；所述半导体材料的位于所述外围区域的第二表面，具有第二表面积，所述第二表面积大于所述第一表面积并且所述第二表面围绕所述第一表面；所述半导体材料的多个倾斜表面，从所述第一表面延伸到所述第二表面；所述半导体材料的第三表面，所述第三表面与所述第一表面、所述第二表面以及所述多个倾斜表面相对；第一部分，所述第一部分位于所述中心区域，并且所述第一部分具有从所述第三表面延伸到所述第一表面的第一厚度，所述第一表面具有矩形形状，并且所述第一表面包括多个边缘，所述多个倾斜表面从所述多个边缘延伸；第二部分，从所述第一部分延伸，所述第二部分具有从所述多个倾斜表面延伸到所述第三表面的变化的厚度；以及从所述第二部分延伸的第三部分，所述第三部分通过所述第二部分与所述第一部分间隔开，所述第三部分具有从所述第二表面延伸到所述第三表面的第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度，所述第三部分围绕第一部分和所述第二部分并且位于所述外围区域，所述第三部分包括多个第一侧壁，并且所述第三部分的所述多个第一侧壁中的每个第一侧壁与所述第一表面的多个边缘中的每个边缘成角度。

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