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龙图腾网恭喜桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包括界面电迁移阻挡层的接合衬垫及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114731762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080078566.X，技术领域涉及：H05K3/04；该发明授权包括界面电迁移阻挡层的接合衬垫及其制造方法是由吴晨;P·拉布金;东谷政昭设计研发完成，并于2020-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括界面电迁移阻挡层的接合衬垫及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种包括第一衬垫级介电层的半导体管芯，该第一衬垫级介电层嵌入第一接合衬垫并位于第一衬底上方。该第一接合衬垫中的每个第一接合衬垫位于该第一衬垫级介电层中的相应衬垫腔内。该第一接合衬垫中的每个第一接合衬垫包括：第一金属衬里，该第一金属衬里含有第一金属衬里材料并接触该相应衬垫腔的侧壁；第一金属填充材料部分，该第一金属填充材料部分嵌入该第一金属衬里中；和金属电迁移阻挡层，该金属电迁移阻挡层接触该第一金属填充材料部分并邻接该第一金属衬里。

本发明授权包括界面电迁移阻挡层的接合衬垫及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括第一半导体管芯，其中所述第一半导体管芯包括：第一衬垫级介电层，所述第一衬垫级介电层嵌入第一接合衬垫并且位于第一衬底上方，其中所述第一接合衬垫中的每个第一接合衬垫位于所述第一衬垫级介电层中的相应衬垫腔内并且包括：第一金属衬里，所述第一金属衬里包括第一金属衬里材料并且接触所述相应衬垫腔的侧壁；第一金属填充材料部分，所述第一金属填充材料部分嵌入所述第一金属衬里中；和金属电迁移阻挡层，所述金属电迁移阻挡层接触所述第一金属填充材料部分并且邻接所述第一金属衬里，其中外围凹槽位于所述第一接合衬垫中的每个第一接合衬垫的外围部分中的所述金属电迁移阻挡层上方。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司，其通讯地址为：美国德克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。