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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080005857.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由泷下博;吉村尚;目黑美佐稀;根本道生设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备设置有N型区的半导体基板，N型区是包括半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，N型区在中央位置包含浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。半导体装置能够通过如下制造方法制造，该制造方法具备：准备P型的半导体基板的准备步骤、以及通过向P型的半导体基板注入N型的杂质并进行热处理，从而形成包括半导体基板的深度方向上的中央位置的N型区的第一反转步骤。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备设置有N型区的半导体基板，所述N型区是包括所述半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，所述N型区在所述中央位置包含浓度比载流子浓度低且浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主，在所述N型区中，将实际的体受主浓度NAre相对于体受主浓度的规格值NA0的比例κ设为κ=NAreNA0，将实际的施主浓度NFre相对于最终施主浓度的目标值NF0的比例θ设为θ=NFreNF0，将所述θ的上限值设为θ+，并将所述θ的下限值设为θ-，所述θ+为1.15，所述θ-为0.85，所述比例κ和所述θ的上限值θ+和下限值θ-满足下式：（1-θ+）α´+1≤κ≤（1-θ-）α´+1其中，α´=NA0NF0，NF0是所述N型区的施主浓度的目标值。

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