恭喜三星电子株式会社洪京一获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括阻挡层的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010391931.4，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权包括阻挡层的半导体器件是由洪京一;金英铉;朴正桓;吴世忠;李正敏设计研发完成，并于2020-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括阻挡层的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结MTJ结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。
本发明授权包括阻挡层的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结结构；在所述层间绝缘层和所述多个磁隧道结结构上的阻挡层；在所述层间绝缘层和所述阻挡层之间的蚀刻停止层；在所述阻挡层上的上绝缘层，所述阻挡层包括具有比所述上绝缘层高的吸收常数的材料；在所述上绝缘层上的上互连；以及上插塞，其连接到所述上互连和所述多个磁隧道结结构中的磁隧道结结构并且延伸到所述上绝缘层、所述阻挡层和所述蚀刻停止层中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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