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龙图腾网恭喜上海维安半导体有限公司申请的专利一种折返式过流保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111478300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010386305.6，技术领域涉及：H02H9/02；该发明授权一种折返式过流保护电路是由冉波;姚和平设计研发完成，并于2020-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种折返式过流保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种折返式过流保护电路，提供了一种具有折返式过流保护功能的线路保护方案，由输出电流信号采样电路和功率管栅极控制电路构成限流控制环路，由包括采样管的采样电路采样功率管电流并将输出电压信号采样分压反馈给差分比较电路，当功率管输出电流超过预设定阈值时，将功率管栅极钳位，达到限制最大输出电流；由差分比较电路将比较结果通过控制电路屏蔽电阻R1，产生不同的电流限制阈值。本发明可以在输出电流异常的情况下，钳位功率管栅极，限制输出电流，额外增加的改变限流阈值功能，使得电路在限流发生后将电流限制在更小的值，进一步提高安全性，解决了相关技术中的过流保护电路功耗过大的问题。进一步提高了芯片安全性。

本发明授权一种折返式过流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种折返式过流保护电路，包括输出电流信号采样电路，差分比较电路和功率管栅极控制电路，其特征在于：由输出电流信号采样电路和功率管栅极控制电路构成限流控制环路，由包括采样管的采样电路采样功率管电流并将输出电压信号采样分压反馈给差分比较电路，当功率管输出电流超过预设定阈值时，将功率管栅极钳位，达到限制最大输出电流；所述的差分比较电路由PMOS管和NMOS管构成，差分比较电路分别输入基准电压VRFE和输出电压信号采样分压VFB，比较输出电压信号采样分压与对应的预设电压参数阈值，并输出比较结果，该比较结果通过功率管栅极控制电路屏蔽电阻一R1，产生不同的电流限制阈值；其中，所述的差分比较电路由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第七NMOS管MN7、第六PMOS管MP6、第八PMOS管MP8构成，其中，第一PMOS管MP1源极连接电源VDD、漏极连接第二、三PMOS管MP2、MP3的源级，栅极外接偏置电压VBIAS3；第二PMOS管MP2的栅极连接外接基准电压VREF，第三PMOS管MP3的栅极连接输出电压信号采样分压VFB，第二PMOS管MP2漏极与第四NMOS管MN4漏极连接，第三PMOS管MP3漏极与第五NMOS管MN5漏极连接，第四NMOS管MN4的栅极漏级短接，第四、五、七NMOS管MN4、MN5、MN7的源极接地，第四、五NMOS管MN4、MN5的栅极连接，第五NMOS管MN5漏极和第七NMOS管MN7栅极连接，第七NMOS管MN7漏极与第六PMOS管MP6漏极连接，第六PMOS管MP6源极接电源VDD，第六PMOS管MP6漏极与第八PMOS管MP8栅极连接，第八PMOS管MP8源极连接VDD，第八PMOS管MP8漏极连接电阻一R1负向端构成差分电路，当比较结果为过流时，限流环路中的控制电路屏蔽电阻一R1，产生不同的电流限制阈值。

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