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龙图腾网恭喜达发科技股份有限公司申请的专利静电放电电路及其防止集成电路因电源反接而故障的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010272917.2，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权静电放电电路及其防止集成电路因电源反接而故障的方法是由杨宗翰;庄家硕设计研发完成，并于2020-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电放电电路及其防止集成电路因电源反接而故障的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种静电放电电路及其防止集成电路因电源反接而故障的方法。所述静电放电电路包括用来提供静电放电电流路径的至少一金氧半场效晶体管，以及耦接所述至少一金氧半场效晶体管的控制电路。当外部电源反接时，控制电路用来改变所述至少一金氧半场效晶体管的基极电位，使得关闭所述至少一金氧半场效晶体管，以防止外部电源反接产生通过所述至少一金氧半场效晶体管的电流而造成集成电路故障。

本发明授权静电放电电路及其防止集成电路因电源反接而故障的方法在权利要求书中公布了：1.一种静电放电电路，适用于一集成电路中，并通过一第一引脚和一第二引脚耦接一外部电源，且所述外部电源反接是指所述第一引脚和所述第二引脚分别耦接所述外部电源的负极和正极，其特征在于，所述静电放电电路包括：至少一金氧半场效晶体管，用来提供一静电放电电流路径，以避免静电放电电流流入所述集成电路的内部电路而造成损坏；以及一控制电路，耦接所述至少一金氧半场效晶体管，用来当所述外部电源反接时，改变所述至少一金氧半场效晶体管的基极电位，使得关闭所述至少一金氧半场效晶体管，以防止所述外部电源反接产生通过所述至少一金氧半场效晶体管的电流而造成所述集成电路故障，其中，所述至少一金氧半场效晶体管为一第一N型金氧半场效晶体管，且所述静电放电电路更包括：一电容，具有一第一端与所述第一N型金氧半场效晶体管的漏极共同耦接接收一电源电压的所述第一引脚，以及一第二端耦接所述第一N型金氧半场效晶体管的栅极；以及一电阻，具有一第一端与所述电容的所述第二端共同耦接所述第一N型金氧半场效晶体管的所述栅极，以及一第二端耦接一变压节点。

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