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龙图腾网恭喜纳维达斯半导体有限公司申请的专利GaN逻辑电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111800123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010267391.9，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权GaN逻辑电路是由S·夏尔马设计研发完成，并于2020-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN逻辑电路在说明书摘要公布了：公开GaN数字电路。电路包括：基板上的第一输出节点；上拉开关，连接到第一输出节点和具有第二电压的电源节点；具有第一端子的电容器，该第一端子被配置为响应于所述第一输出节点处的电压增加至所述第二电压而使上拉开关的栅极处的电压增加到基本上第二电压和第三电压之和。电路还包括：第一耗尽模式充电开关，被配置为使得所述电容器的第一端子处的电压变得基本等于所述第三电压，而所述第一输出节点处的电压基本等于所述第一电压，并且在所述第一输出节点处的电压基本等于所述第二电压时被配置为基本不导电。

本发明授权GaN逻辑电路在权利要求书中公布了：1.GaN数字电路，包括：包含GaN的基板；所述基板上的第一输出节点，其中，所述第一输出节点处的电压被配置为在第一和第二电压之间切换，其中，所述第一电压小于所述第二电压；所述基板上的上拉开关，所述上拉开关包括：栅极，连接到所述第一输出节点的源极，和连接到电压等于所述第二电压的电源节点的漏极，其中所述上拉开关被配置为响应于所述栅极处的电压而使所述第一输出节点处的电压等于所述第二电压；所述基板上的电容器，所述电容器具有第一端子，该第一端子被配置为响应于所述第一输出节点处的电压增加至所述第二电压而使所述栅极处的电压增加到所述第二电压和第三电压之和；和所述基板上的第一耗尽模式充电开关，其中所述第一耗尽模式充电开关被配置为使得所述电容器的第一端子处的电压变得等于所述第三电压，而所述第一输出节点处的电压等于所述第一电压，并且在所述第一输出节点处的电压等于所述第二电压时被配置为不导电。

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