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龙图腾网恭喜北京化工大学申请的专利一种可长期持续荷电再生的抗菌口罩获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111436685B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010239656.4，技术领域涉及：A41D13/11；该发明授权一种可长期持续荷电再生的抗菌口罩是由杨卫民;张锋华;崔燕;孙乐;靳诺;冯林;丁玉梅;阎华;谢鹏程;李好义;焦志伟;程礼盛;陈明军设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可长期持续荷电再生的抗菌口罩在说明书摘要公布了：本发明公开一种可长期持续荷电再生的抗菌口罩，包括罩体、耳带、电池。所述罩体采用多层结构形式，依次为阻隔层、杀菌层、过滤层和亲肤层。所述杀菌层采用纳米银层以提高口罩的抗菌能力。所述过滤层采用“半导体层‑绝缘层‑半导体层”的结构设计，两个半导体层分别与外加电池的正、负极相连接。静电荷积聚在半导体层表面以吸附滤除空气中的细菌、病毒等微生物和颗粒；佩戴时口中呼出的哈气等因素会造成静电损失，本发明采用电池持续补充电荷，保持稳定的滤除病菌的能力。本发明一种可荷电再生的抗菌口罩通过静电捕捉和物理阻隔两种方式，防止灰尘颗粒、病毒等侵入人体，使口罩长期保持高过滤能力，节约大量的材料和资源，具有绿色环保的特点。

本发明授权一种可长期持续荷电再生的抗菌口罩在权利要求书中公布了：1.一种可长期持续荷电再生的抗菌口罩，其特征在于：包括罩体、外加电池及连接在所述罩体两边的耳带，所述罩体上设置有电池槽和电阻，所述罩体为多层结构，由外向内分别为隔离层、杀菌层、过滤层和亲肤层；所述过滤层采用半导体层-绝缘层-半导体层的结构，其中半导体层采用二硫化钼材料，绝缘层采用聚丙烯熔喷工艺制作的无纺布；其中电池一极通过导线连接半导体层，电池另一极连接另一半导体层；所述二硫化钼的半导体层，以硫-钼-硫的结构排列。

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