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龙图腾网恭喜恩智浦美国有限公司申请的专利高速宽动态范围输入结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111756029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010171886.1，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权高速宽动态范围输入结构是由W·E·爱德沃兹;J·M·皮古特设计研发完成，并于2020-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本高速宽动态范围输入结构在说明书摘要公布了：本公开涉及高速宽动态范围输入结构。公开了一种用于利用以下保护电路输入VINP在输入电压VIN下免受正过电压和负过电压的影响的输入保护电路200和关联方法：高压PMOSFETP1，具有栅极、跨齐纳二极管ZD1连接到所述栅极的漏极和被连接以接收输入电压的源极；阻断FETN1，具有连接到供电电压的栅极、跨齐纳二极管ZD2连接到所述供电电压的漏极和连接到所述高压PMOSFET的所述栅极的源极；高压NMOSFETN3，具有连接到所述供电电压的栅极、提供受保护的输出电压并且跨齐纳二极管ZD3连接到所述栅极的源极和连接到源极跟随器节点的漏极；以及电平移位器电路214，连接在所述高压PMOSFET的所述漏极与所述源极跟随器节点之间。

本发明授权高速宽动态范围输入结构在权利要求书中公布了：1.一种用于响应于输入电压生成输出电压的输入保护电路，其特征在于，包括：第一共源共栅开关，所述第一共源共栅开关用于在输入电压偏移低于指定的电压操作范围时限制所述输出电压，所述第一共源共栅开关包括高压PMOSFET，所述高压PMOSFET具有控制电极、跨第一齐纳二极管连接到所述控制电极的第一载流电极和被连接以接收输入电压的第二载流电极；阻断FET，所述阻断FET具有连接到供电电压的控制电极、跨第二齐纳二极管连接到所述供电电压的第一载流电极和连接到所述高压PMOSFET的所述控制电极的第二载流电极；第二共源共栅开关，所述第二共源共栅开关用于在输入电压偏移高于所述指定的电压操作范围时限制所述输出电压，所述第二共源共栅开关包括高压NMOSFET，所述高压NMOSFET具有连接到所述供电电压的控制电极、提供所述输出电压并且跨第三齐纳二极管连接到所述控制电极的第一载流电极和连接到源极跟随器节点的第二载流电极；以及电平移位器电路，所述电平移位器电路连接在所述高压PMOSFET的所述第一载流电极与所述源极跟随器节点之间；所述电平移位器电路包括晶体管N2，所述晶体管N2的控制电极连接到所述高压PMOSFET的所述第一载流电极、所述晶体管N2的第一载流电极包括所述源极跟随器节点，所述源极跟随器节点跨第四齐纳二极管（ZD4）连接到所述晶体管（N2）的所述控制电极，所述晶体管N2的第二载流电极通过二极管耦合到所述供电电压；所述高压PMOSFET、所述阻断FET、所述高压NMOSFET和所述晶体管（N2）中的每一个通过电流源电路分别连接到第二供电电压。

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