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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有带有堤状构造的管芯焊盘的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111696943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010165084.X，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权具有带有堤状构造的管芯焊盘的半导体器件是由R·佩尔泽;F·洛佩兹;A·马格兰吉特;S·A·F·什克扎卡里亚设计研发完成，并于2020-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有带有堤状构造的管芯焊盘的半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在该半导体衬底中的功率晶体管，该功率晶体管包括其中形成有一个或多个功率晶体管单元的有源区；形成在半导体衬底上方并且基本上覆盖功率晶体管的所有有源区的第一金属焊盘，第一金属焊盘电连接到功率晶体管的有源区中的源极或发射极区域，第一金属焊盘包括内部区域，该内部区域由外围区域横向包围，该外围区域比内部区域厚；以及通过管芯附接材料附接到第一金属焊盘的内部区域的第一互连板或半导体管芯。还描述了对应的制造方法。

本发明授权具有带有堤状构造的管芯焊盘的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的功率晶体管，所述功率晶体管包括有源区，在所述有源区中形成一个或多个功率晶体管单元；第一金属焊盘，其形成在所述半导体衬底上方并基本上覆盖所述功率晶体管的所有所述有源区，所述第一金属焊盘电连接至所述功率晶体管的所述有源区中的源极或发射极区域，所述第一金属焊盘包括由外围区域横向包围的内部区域，所述外围区域比所述内部区域厚；以及第一互连板或半导体管芯，其在所述内部区域的背离所述半导体衬底的一侧通过管芯附接材料附接至所述第一金属焊盘的所述内部区域。

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