买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜国际商业机器公司申请的专利具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113498555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080016933.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道是由谢瑞龙;J.弗鲁吉尔;C.朴;E.诺瓦克;亓屹;程慷果;N.罗贝特设计研发完成，并于2020-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管FET架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，在衬底上形成纳米片堆叠。纳米片堆叠可以包括一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层。通过去除一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层的一部分来形成沟槽。所述沟槽暴露所述一个或多个第一牺牲层中的最底部牺牲层的表面。所述沟槽可填充有一或多个第二半导体层和一或多个第二牺牲层，使得所述一或多个第二半导体层中的每一个与所述一或多个第一半导体层中的一个的侧壁接触。

本发明授权具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成纳米片堆叠，所述纳米片堆叠包括一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层；通过去除所述一个或多个第一半导体层和所述一个或多个第一牺牲层的一部分来形成沟槽，所述沟槽暴露所述一个或多个第一牺牲层中的最底部牺牲层的表面；以及用一个或多个第二半导体层和一个或多个第二牺牲层填充所述沟槽，使得所述一个或多个第二半导体层中的每一个与所述一个或多个第一半导体层中的一个的侧壁接触；其中，填充所述沟槽的第二半导体层与所述第一半导体层共同形成沟道区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国际商业机器公司，其通讯地址为：美国纽约阿芒克；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。