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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010017036.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储器件是由金森宏治;姜书求;姜信焕设计研发完成，并于2020-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件在说明书摘要公布了：一种半导体存储器件包括：第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层；栅电极，布置在第二半导体层上并在与第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及沟道结构，被第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以及栅电极围绕，沟道结构中的每个相应沟道结构包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，栅极绝缘膜包括与沟道层相邻的隧道绝缘膜、与栅电极相邻的电荷阻挡膜、以及在隧道绝缘膜和电荷阻挡膜之间的电荷存储膜，电荷存储膜包括朝向相应沟道结构的外部突出的上部盖。

本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括：第一半导体层、第二半导体层以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第三半导体层；多个栅电极，在所述第二半导体层上并且在与所述第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及多个沟道结构，被所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层以及所述多个栅电极围绕，所述多个沟道结构中的每个相应沟道结构包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括与所述沟道层相邻的隧道绝缘膜、与所述多个栅电极相邻的电荷阻挡膜、以及在所述隧道绝缘膜和所述电荷阻挡膜之间的电荷存储膜，所述电荷存储膜包括朝向所述多个沟道结构中的相应沟道结构的外部突出的上部盖，其中所述电荷存储膜比所述隧道绝缘膜更靠近所述第三半导体层的中心。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。