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龙图腾网恭喜洛佩诗公司;株式会社电装申请的专利用于沉积半导体材料的包括旋转元件的反应室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113227448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080007290.6，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权用于沉积半导体材料的包括旋转元件的反应室是由弗朗西斯科·科里亚;D·克里帕;毛里利奥·梅斯基亚;徳田雄一郎设计研发完成，并于2020-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于沉积半导体材料的包括旋转元件的反应室在说明书摘要公布了：反应室100被设计用于反应器100，反应器用于在基底上沉积半导体材料的层；反应室包括管110和注射器20以及保持器30，管110由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区；注射器20被布置成将前体气体注入反应和沉积区；保持器30被布置成在沉积过程期间支撑在反应和沉积区中的基底；石墨基座元件10、40、50位于管110的内部，用于加热反应和沉积区以及在反应和沉积区内的部件；感应器系统60、70位于管110外部，用于通过电磁感应向基座元件10、40、50提供能量；呈圆柱形管或棱柱形管的形式的旋转元件80位于反应和沉积区内部并且围绕注射器20。

本发明授权用于沉积半导体材料的包括旋转元件的反应室在权利要求书中公布了：1.一种用于反应器的反应室100，所述反应器用于在基底上沉积半导体材料的层，所述反应室100包括管110和注射器20以及保持器30，其中所述管110由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区，其中所述注射器20被布置成将前体气体注入所述反应和沉积区，其中所述保持器30被布置成在沉积过程期间支撑在所述反应和沉积区中的基底，其中石墨基座元件位于所述管110的内部，用于加热所述反应和沉积区以及在所述反应和沉积区内的部件，其中感应器系统位于所述管110外部，用于通过电磁感应向所述石墨基座元件提供能量，其中呈圆柱形管或棱柱形管的形式的旋转元件80位于所述反应和沉积区内部并且围绕所述注射器20；其中，第一圆柱形或棱柱形石墨基座元件40处于所述管110的第一端部处，并且第二圆柱形或棱柱形石墨基座元件50处于所述管110的第二端部处，并且其中，所述旋转元件80与所述保持器30是不同的且分离的。

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